Trang chủ › Danh mục › Nhôm Fluoride

Nhôm Fluoride CAS: 7784-18-1

Công thức: AlF3 Khối lượng: 83.98 g/mol
Industrial/Technical Grade Trung Quốc, Ấn Độ, Mỹ, Đức, Nhật Bản Độ tinh khiết: ≥ 98.0% - 99.9%
Yêu cầu báo giá

Mô tả sản phẩm

Nhôm Fluoride (Aluminum Fluoride, Aluminum Trifluoride, AlF₃) là một hợp chất vô cơ ion tinh thể, có công thức phân tử AlF3. Đây là một trong những phụ gia công nghiệp quan trọng nhất, đặc biệt trong ngành sản xuất nhôm điện phân (Hall-Héroult process).

Sản phẩm có dạng bột tinh thể màu trắng hoặc không màu, không mùi. Nhôm fluoride được sản xuất chủ yếu bằng phản ứng giữa hydro fluoride với nhôm hydroxide hoặc kim loại nhôm, hoặc bằng phản ứng của nhôm trichloride với axit hydrofluoric và amoniac. Trong quy trình sản xuất nhôm, AlF₃ được kết hợp với cryolite (Na₃AlF₆) để hạ điểm nóng chảy của dung dịch điện phân từ khoảng 1000°C xuống dưới 1000°C, giúp tiết kiệm năng lượng đáng kể. Ngoài ra, AlF₃ còn được sử dụng làm chất trợ luyện trong gốm sứ và men, chất xúc tác trong các phản ứng hữu cơ, chất ức chế lên men trong sản xuất cồn, và làm màng quang học chỉ số khúc xạ thấp trong vùng UV xa. Sản phẩm đạt độ tinh khiết cao (≥98-99.9%), đảm bảo chất lượng cho các ứng dụng công nghiệp và nghiên cứu.

Tính chất

Bột tinh thể màu trắng hoặc không màu Không mùi Khối lượng phân tử: 83.98 g/mol Điểm nóng chảy: 1290-1291°C Điểm sôi: 1291°C (sublimation) Mật độ: 3.1 g/mL (25°C) Tỷ trọng biểu kiến: 0.70-1.50 g/cm³ (tùy cấp) Độ tan trong nước: 0.559 g/100 mL (25°C) Ít tan trong acid và base Không tan trong ethanol, acetone và hầu hết dung môi hữu cơ Tính hút ẩm nhẹ (hygroscopic) Tính chất rất ổn định ở nhiệt độ cao Phản ứng mãnh liệt với natri và kali Khi nung nóng phát ra khí fluoride độc hại Bảo quản: nơi khô ráo, thoáng mát, tránh ánh sáng UN3260, Class 8, PG III

Ứng dụng

  • Sản xuất nhôm điện phân

    Phụ gia quan trọng nhất trong quy trình Hall-Héroult sản xuất nhôm điện phân, kết hợp với cryolite hạ điểm nóng chảy của dung dịch điện phân xuống dưới 1000°C (giảm 40-60°C), tăng độ dẫn điện của điện giải, tiết kiệm năng lượng đáng kể, chiếm ~95% sản lượng toàn cầu

  • Gốm sứ và men

    Chất trợ luyện (flux) trong men gốm sứ và men trắng (white enamels), giảm điểm nóng chảy của men, cải thiện độ bóng và kết cấu bề mặt; sản xuất silicate nhôm (aluminum silicate) và vật liệu chịu lửa đặc biệt

  • Chất xúc tác hóa học

    Chất xúc tác trong các phản ứng hữu cơ và tổng hợp hợp chất fluor hữu cơ (organofluorine compounds); xúc tác trong sản xuất fluorocarbon và các phản ứng hóa học công nghiệp khác

  • Kính quang học và vật liệu quang điện tử

    Sản xuất kính fluoroaluminate (kết hợp với zirconium fluoride) cho ứng dụng quang học hồng ngoại; màng mỏng quang học chỉ số khúc xạ thấp (low-index optical thin film) trong vùng UV xa, bảo vệ gương nhôm khỏi oxy hóa

  • Sản xuất cồn và thực phẩm

    Chất ức chế lên men (fermentation inhibitor) trong sản xuất cồn và rượu; phụ gia trong chăm sóc răng miệng (kem đánh răng) với vai trò chất chống mảng bám (antiplaque agent)

  • Luyện kim và hàn

    Chất trợ luyện (flux) trong luyện kim phi sắt, loại bỏ magie trong quy trình luyện kim; chất hàn trong công nghiệp hàn kim loại; tinh chế phế liệu nhôm

  • Nghiên cứu sinh học phân tử

    Nghiên cứu cơ chế phản ứng chuyển nhóm phosphoryl trong sinh học, tương tác với protein để nghiên cứu quá trình phosphoryl hóa, vai trò của ATP và GTP trong chuyển hóa, tăng trưởng và biệt hóa tế bào

  • Vật liệu chịu lửa và lớp phủ chống ăn mòn

    Sản xuất vật liệu chịu lửa đặc biệt, lớp phủ bảo vệ bề mặt chống nhiệt độ cực cao và ăn mòn hóa học trong lò nung, lò luyện kim và các ứng dụng công nghiệp khắc nghiệt

Chưa có nhà cung cấp

Sản phẩm này chưa có nhà cung cấp nào

Gửi yêu cầu tìm nhà cung cấp

Tài liệu tham khảo

Lắng đọng lớp nguyên tử AlF3 tăng cường bằng plasma cho lớp phủ chống phản xạ thông qua kiểm soát thời gian xung của các phản ứng gốc tự do flo
Nanomaterials 2026, 16(1), 43 DOI
Nghiên cứu này trình bày quy trình lắng đọng lớp nguyên tử tăng cường bằng plasma (PEALD) để tạo màng chống phản xạ nhôm florua (AlF₃) chất lượng cao, sử dụng trimethylaluminum (TMA, Al(CH₃)₃) làm tiền chất và plasma lưu huỳnh hexaflorua (SF₆) làm tác nhân flo hóa; đây là giải pháp thay thế an toàn hơn so với các phương pháp ALD nhiệt truyền thống vốn sử dụng hydro florua (HF) độc hại. Các phép đo quang phổ phát xạ quang học (OES) và phân tích khí dư (RGA) tại chỗ cho thấy quá trình phân ly plasma SF₆ tạo ra các gốc flo trung hòa (F*) và ion flo (F⁺); các thành phần này thúc đẩy hai cơ chế loại bỏ phối tử song song, tạo ra các sản phẩm phụ dễ bay hơi như carbon tetraflorua (CF₄), trifluoromethane (CHF₃), hydro florua (HF) và methane (CH₄). Đồng thời, việc lựa chọn thời gian xung plasma tối ưu là 3 giây giúp cân bằng giữa hiệu quả loại bỏ hoàn toàn phối tử methyl và việc hạn chế hư hại bề mặt do tác động của ion. Các màng AlF₃ thu được có thành phần hóa học chuẩn xác (đúng tỷ lệ hợp thức), hàm lượng tạp chất cực thấp (~0,86 at.%), bề mặt phẳng mịn ở cấp độ nguyên tử (độ nhám RMS ~0,24 nm) và chiết suất thấp (~1,35); nhờ đó, kính được phủ màng ở cả hai mặt đạt độ truyền quang cao (97,6 ± 0,5%) cùng khả năng trung hòa màu sắc tuyệt vời.

Yêu cầu báo giá

Nhận báo giá từ nhiều nhà cung cấp trong 24 giờ

Gửi RFQ ngay

Thông tin nhanh

Cấp độIndustrial/Technical Grade
Độ tinh khiết≥ 98.0% - 99.9%
Xuất xứTrung Quốc, Ấn Độ, Mỹ, Đức, Nhật Bản
Lượt xem5

Yêu cầu báo giá

Nhôm Fluoride - CAS 7784-18-1